为了解决上述问题，本发明提供一种低温窑变梅花釉瓷器及其制备工艺。

为实现上述目的，本发明提供的低温窑变梅花釉瓷器，包括陶瓷坯体，其特征在于：还包括坯体和设置于陶瓷坯体表面的底釉层和面釉层，所述陶瓷坯体，其重量份如下：长石尾矿粉末25-35、窑渣15-20份、煅烧滑石15-20份、铝质粘土10-15份、镁质粘土5-10、硅灰石粉5-10份、高岭土1-5份、硫化钡1-5份、锂长石1-5份；所述底釉层，其重量份如下：黑粘土20-30份、煅烧碳酸钡15-20份、绢云母15-20份、长石尾矿粉末10-15份、钾长石10-15份、氧化铬5-15份、高岭土2-10份；所述面釉层，其重量份如下：钾长石20-30份、石英20-30份、高岭土10-15份、锡晶料5-10份、玻璃5-10份、糯米粉1-5、草酸铜1-5份、氧化锌1-5份、氧化钠1-5份、竹炭1-5份、长石尾矿粉末1-5份。

优化的，陶瓷坯体的重量份如下：长石尾矿粉末28、窑渣19份、煅烧滑石16份、铝质粘土13份、镁质粘土7、硅灰石粉6份、高岭土3份、硫化钡4份、锂长石4份。

优化的，底釉层，其重量份如下：黑粘土26份、煅烧碳酸钡17份、绢云母16份、长石尾矿粉末13份、钾长石14份、氧化铬6份、高岭土8份。

优化的，面釉层，其重量份如下：钾长石26份、石英24份、高岭土14份、锡晶料9份、玻璃8份、糯米粉4、草酸铜3份、氧化锌4份、氧化钠3份、竹炭2份、长石尾矿粉末3。

优化的，面釉层的厚度为0.1-0.2mm，所述底釉层的厚度为0.3-0.5mm。

低温窑变梅花釉瓷器的制备工艺，其特征在于，制备上述任意一项所述的低温窑变梅花釉瓷器，具体步骤如下：

步骤1，按陶瓷坯体原料配方进行配比称重，制得陶瓷坯体釉浆，；

步骤2，按底釉层原料配方进行配比称重，加水球磨后分别制得底釉，料：球：水的质量比为3：1-2：1-3进行湿法球磨1h～3h，球磨后过80目-100目筛；

步骤3，按面釉原料配方进行配比称重，加水球磨后分别制得面釉,料：球：水的质量比为2：1：2-3,进行湿法球磨5h～8h，球磨后过200目-300目筛；

步骤4，等待陶瓷坯体完全干燥后，在陶瓷坯体表面施底釉；

步骤5，使用釉浆制作陶瓷坯体，等待陶瓷坯体完全干燥后，在陶瓷坯体表面施一层底釉，等待面釉干燥后，向底釉表面喷涂面釉；

步骤6，将施有开裂底釉层和面釉层的陶瓷坯体放入窑炉中一次烧制成型，烧成温度为1220-1260℃，窑炉到达烧成温度后，匀速降温至自然冷却。

进一步的，步骤1、步骤2中陶瓷坯体原料与底釉中使用的长石尾矿，依次经粉碎、磁选后，煅烧1080摄氏度。

进一步的，施釉时底釉的波美计浓度为50-60度，施釉时面釉的波美计浓度为30-40度。

进一步的，步骤4坯体干燥后的含水率为1-2％。

进一步的，步骤6中烧成时，步骤6中窑炉的烧制温度控制共分为五段，具体如下：

A：氧化气氛下，窑炉经30-40分钟，匀速升温至500℃；

B：窑炉继续升温，经1.5-2小时升温至800℃，保温20-30分钟；

C：转还原气氛，经3-5分钟，窑炉升温至烧成温度，保温2-3小时；

D：窑炉在还原气氛下以100℃/h-120℃/h的降温速率降温至1000℃；

E：转氧化气氛，快速降温经10-30分钟由1000℃度降温至600℃，在自然降温至出窑。

本发明提供的低温窑变梅花釉瓷器及其制作方法，使用独特的原料配方和低温窑变烧制工艺，所烧制出的瓷器具有褐色、酱色的底色，在深色的底釉上分布粉红、桃红色的斑点，每块斑点上形成大致呈梅花状布置的缺釉毛孔，显得粗糙干涩，遇水后水会迅速填满缺釉毛孔，使釉面浑然一体，自然就晶莹剔透，有如“雨花石”见水就亮的特质，具有独特的艺术效果。该种低温窑变梅花釉瓷器的陶瓷坯体、底釉、面釉的原料中大量使用了长石尾矿粉末作为原料，具有显著的环保价值，同时有效降低原料的生产成本，提高经济效益和市场竞争力。

具体实施方式

以下通过具体实施方式对本发明作进一步的描述。

低温窑变梅花釉瓷器，包括陶瓷坯体，其特征在于：还包括坯体和设置于陶瓷坯体表面的底釉层和面釉层，

所述陶瓷坯体，其重量份如下：长石尾矿粉末25-35、窑渣15-20份、煅烧滑石15-20份、铝质粘土10-15份、镁质粘土5-10、硅灰石粉5-10份、高岭土1-5份、硫化钡1-5份、锂长石1-5份；

所述底釉层，其重量份如下：黑粘土20-30份、煅烧碳酸钡15-20份、绢云母15-20份、长石尾矿粉末10-15份、钾长石10-15份、氧化铬5-15份、高岭土2-10份；

所述面釉层，其重量份如下：钾长石20-30份、石英20-30份、高岭土10-15份、锡晶料5-10份、玻璃5-10份、糯米粉1-5、草酸铜1-5份、氧化锌1-5份、氧化钠1-5份、竹炭1-5份、长石尾矿粉末1-5份。

具体实施例一：

低温窑变梅花釉瓷器，包括陶瓷坯体，还包括坯体和设置于陶瓷坯体表面的底釉层和面釉层，面釉层的厚度为0.1-0.2mm，所述底釉层的厚度为0.3-0.5mm；

陶瓷坯体的重量份如下：长石尾矿粉末28、窑渣19份、煅烧滑石16份、铝质粘土13份、镁质粘土7、硅灰石粉6份、高岭土3份、硫化钡4份、锂长石4份；

底釉层，其重量份如下：黑粘土26份、煅烧碳酸钡17份、绢云母16份、长石尾矿粉末13份、钾长石14份、氧化铬6份、高岭土8份；

面釉层，其重量份如下：钾长石26份、石英24份、高岭土14份、锡晶料9份、玻璃8份、糯米粉4、草酸铜3份、氧化锌4份、氧化钠3份、竹炭2份、长石尾矿粉末3。

所烧制出的瓷器具有褐色的底色，在深色的底釉上分布粉红的斑点，每块斑点上形成大致呈梅花状布置的缺釉毛孔，由于面釉中引入的有机材料烧制后会发在斑点上形成大致呈梅花状布置的缺釉毛孔。

具体实施例二：

低温窑变梅花釉瓷器，包括陶瓷坯体，其特征在于：还包括坯体和设置于陶瓷坯体表面的底釉层和面釉层，

所述陶瓷坯体，其重量份如下：长石尾矿粉末32、窑渣16份、煅烧滑石18份、铝质粘土12份、镁质粘土6、硅灰石粉8份、高岭土2份、硫化钡3份、锂长石3份；

所述底釉层，其重量份如下：黑粘土26份、煅烧碳酸钡18份、绢云母17份、长石尾矿粉末14份、钾长石11份、氧化铬6份、高岭土8份；

所述面釉层，其重量份如下：钾长石29份、石英28份、高岭土13份、锡晶料6份、玻璃9份、糯米粉3、草酸铜4份、氧化锌2份、氧化钠3份、竹炭1份、长石尾矿粉末2份。

所烧制出的瓷器具有酱色的底色，在酱色的底釉上分布桃红色的斑点，由于面釉中引入的有机材料烧制后会发在斑点上形成大致呈梅花状布置的缺釉毛孔。

具体实施例三：

低温窑变梅花釉瓷器，包括陶瓷坯体，其特征在于：还包括坯体和设置于陶瓷坯体表面的底釉层和面釉层，

所述陶瓷坯体，其重量份如下：长石尾矿粉末33、窑渣19份、煅烧滑石16份、铝质粘土11份、镁质粘土6、硅灰石粉6份、高岭土4份、硫化钡3份、锂长石2份；

所述底釉层，其重量份如下：黑粘土28份、煅烧碳酸钡19份、绢云母16份、长石尾矿粉末11份、钾长石12份、氧化铬6份、高岭土8份；

所述面釉层，其重量份如下：钾长石20-30份、石英20-30份、高岭土10-15份、锡晶料5-10份、玻璃5-10份、糯米粉1-5、草酸铜1-5份、氧化锌1-5份、氧化钠1-5份、竹炭1-5份、长石尾矿粉末1-5份。

所烧制出的瓷器具有酱色的底色，在酱色的底釉上分布粉红色的斑点，由于面釉中引入的有机材料烧制后会发在斑点上形成大致呈梅花状布置的缺釉毛孔。

低温窑变梅花釉瓷器的制备工艺，制备上述的低温窑变梅花釉瓷器，具体步骤如下：

步骤1，按陶瓷坯体原料配方进行配比称重，制得陶瓷坯体釉浆，；

步骤2，按底釉层原料配方进行配比称重，加水球磨后分别制得底釉，料：球：水的质量比为3：1-2：1-3进行湿法球磨1h～3h，球磨后过80目-100目筛；

步骤3，按面釉原料配方进行配比称重，加水球磨后分别制得面釉,料：球：水的质量比为2：1：2-3,进行湿法球磨5h～8h，球磨后过200目-300目筛；

步骤4，等待陶瓷坯体完全干燥至含水率为1-2％后，在陶瓷坯体表面施底釉；

步骤5，使用釉浆制作陶瓷坯体，等待陶瓷坯体完全干燥后，在陶瓷坯体表面施一层底釉，等待面釉干燥后，向底釉表面喷涂面釉，施釉时底釉的波美计浓度为50-60度，面釉波美计浓度为30-40度；

步骤6，将施有开裂底釉层和面釉层的陶瓷坯体放入窑炉中一次烧制成型，烧成温度为1220-1260℃，烧制温度控制共分为五段，具体如下：

A：氧化气氛下，窑炉经30-40分钟，匀速升温至500℃；

B：窑炉继续升温，经1.5-2小时升温至800℃，保温20-30分钟；

C：转还原气氛，经3-5分钟，窑炉升温至烧成温度，保温2-3小时；

D：窑炉在还原气氛下以100℃/h-120℃/h的降温速率降温至1000℃；

E：转氧化气氛，快速降温经10-30分钟由1000℃度降温至600℃，在自然降温至出窑。

其中步骤1、步骤2中陶瓷坯体原料与底釉中使用的长石尾矿，依次经粉碎、磁选后，煅烧1080摄氏度。

上述低温窑变梅花釉瓷器及其制作方法，所烧制出的瓷器具有褐色、酱色的底色，在深色的底釉上分布粉红、桃红色的斑点，每块斑点上形成大致呈梅花状布置的缺釉毛孔，显得粗糙干涩，遇水后水会迅速填满缺釉毛孔，使釉面浑然一体，自然就晶莹剔透，有如“雨花石”见水就亮的特质，具有独特的艺术效果。该种低温窑变梅花釉瓷器的陶瓷坯体、底釉、面釉的原料中大量使用了长石尾矿粉末作为原料，具有显著的环保价值，同时有效降低原料的生产成本，提高经济效益和市场竞争力。

上述仅为本发明的一个具体实施方式，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明保护范围的行为。